الهدف هو مراقبة تأثير الوخز الكهربائي على مسار إشارة مستقبلات الأنسولين في القشرة الدماغية (IRS-1)/فسفوإينوزيتيد 3-كيناز (PI3K)/بروتين كيناز B (AKT) وبروتينات ناقلة للجلوكوز (GLUTs) في الحصين لفئران تعاني من نقص التعلم والذاكرة بعد إصابة الإقفار وإعادة الجريان الدماغي، واستكشاف آلية عمل الوخز الكهربائي في إصابات تعلم وذاكرة الفئران بعد السكتة الدماغية. تم اختيار 15 فأر ذكر SD عشوائيًا من 100 فأر كمجموعة جراحة وهمية، بينما تم استخدام 85 فأر لتحضير نموذج انسداد/إعادة تدفق الشريان المخ الأوسط (MCAO/R) عن طريق الخيوط. بعد نجاح النمذجة، تم تقسيم الفئران عشوائيًا إلى مجموعة نموذج، مجموعة الوخز الكهربائي، مجموعة المثبط، مجموعة الوخز الكهربائي + المثبط، ومجموعة الدونبيزيل، كل مجموعة مكونة من 15 فأرًا. قبل 30 دقيقة من النمذجة، تم حقن مثبط مسار LY294002 (0.1 ميكرومول، 10 ميكرولتر) في البطين الجانبي الأيسر للفئران في مجموعتي المثبط والوخز الكهربائي + المثبط. خضعت مجموعتا الوخز الكهربائي والوخز الكهربائي + المثبط لعلاجات الوخز الكهربائي في نقطتي "شنتينغ" و "بايهوي"، 30 دقيقة لكل مرة، مرة يوميًا؛ حصلت مجموعة الدونبيزيل على 0.92 ملغ/كغ/يوم عن طريق المعدة مرة واحدة يوميًا لمدة 14 يومًا. تم تقييم حالة تلف الجهاز العصبي وقدرة التعلم والذاكرة بواسطة تقييم Zea-longa واختبار التعرف على جسم جديد؛ تم تقييم حجم احتشاء المخ بواسطة تلوين TTC؛ لوحظت تغيرات النسيج العصبي في منطقة الحصين بواسطة تلوين HE؛ تم قياس محتوى الجلوكوز في نسيج الحصين باستخدام مجموعة اختبار الجلوكوز؛ تم قياس تعبير mRNA لبروتينات IRS-1 و PI3K و AKT بواسطة qPCR؛ تم قياس التعبير البروتيني لـIRS-1 و PI3K و p-PI3K و AKT و p-AKT و GLUT1 و GLUT3 بواسطة Western blot. مقارنة بمجموعة الجراحة الوهمية، كانت خلايا نسيج الحصين في مجموعة النموذج متفرقة مع انكماش نووي واضح، وزاد تقييم العجز العصبي، وحجم احتشاء المخ، وفترة الهروب من الجسم الجديد (P<0.01)، وانخفض محتوى الجلوكوز (P<0.01)، وزاد التعبير البروتيني وmRNA لـ IRS-1 (P<0.01)، وانخفضت نسب p-PI3K/PI3K و p-AKT/AKT، والتعبير mRNA لـ PI3K و AKT، والتعبير البروتيني لـ GLUT1 و GLUT3 بشكل ملحوظ (P<0.01). مقارنة بمجموعة النموذج، ظهرت خلايا الحصين في مجموعتي الوخز الكهربائي والدونبيزيل منظمة بوضوح، وكانت المعالم واضحة، وعكست المؤشرات الأخرى (P<0.01، P<0.05). مقارنة بمجموعة الوخز الكهربائي، قلت خلايا العصبونات في مجموعة الوخز الكهربائي + المثبط وظهرت فجوات وبتور نسيجي قليل، وتم تعويض معظم المؤشرات ما عدا تقييم العجز العصبي (P<0.05، P<0.01). الخلاصة: قد يعمل الوخز الكهربائي على نقطتي "شنتينغ" و "بايهوي" على تحسين وظيفة التعلم والذاكرة لدى فئران MCAO/R عن طريق تنشيط مسار إشارة IRS-1/PI3K/AKT، مما يثبط مقاومة الأنسولين ويعزز قدرة نقل الجلوكوز في الخلايا العصبية.

السكتة الدماغية؛ اضطراب الإدراك؛ الوخز الكهربائي؛ مسار إشارة مستقبلات الأنسولين/فسفوإينوزيتيد 3-كيناز/بروتين كيناز B؛ بروتينات نقل الجلوكوز؛ مقاومة الأنسولين